ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L

دانلود ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L همراه با هدیه ویژه پاورپوینت!

یک پیشنهاد بی‌نظیر برای شما!

با دریافت فایل ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L، یک پاورپوینت حرفه‌ای و جذاب را کاملاً رایگان از ما هدیه بگیرید.

چرا ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L بهترین انتخاب شماست؟

• 14 صفحه استاندارد: فایل ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L شامل 14 صفحه منظم و آماده استفاده است.
• مورد تأیید علمی: فایل ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L بر اساس استانداردهای دانشگاهی تدوین شده و برای پروژه‌های علمی مناسب است.
• طراحی بی‌نقص: فایل ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L با ساختاری مرتب و منظم طراحی شده که کار با آن را آسان می‌کند.
• هدیه رایگان: همراه با ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L، یک پاورپوینت شکیل و حرفه‌ای نیز به شما تقدیم می‌شود.
• آماده ارائه: ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L و پاورپوینت هدیه به‌گونه‌ای طراحی شده‌اند که بدون نیاز به ویرایش، برای جلسات و ارائه‌ها آماده باشند.
• مطالب به‌روز و مفید: محتوای علمی ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L به‌گونه‌ای تدوین شده که فهم مطالب را برای شما آسان‌تر کند.
• قابلیت ویرایش آسان: فایل ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L به‌راحتی قابل تغییر و سفارشی‌سازی است.
• تضمین کیفیت: کیفیت ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L و پاورپوینت هدیه تضمین‌شده است و پشتیبانی کامل ارائه می‌شود.

---

بخشی از متن ارزيابي اثرات ميدان مغناطيسي بر جوانه زني بذر نخود Cicer arietinum L :

تعداد صفحات : 14

بهمنظور بررسی اثر میدان مغناطیسی با شدت و زمانهای مختلف قرارگیری بر روی برخی از صفات جوانهزنی بذرنخود (.L arietinum Cicer (رقم ILC482 ،آزمایشی در سال 1392در آزمایشگاه تحقیقات عالی دانشکده کشاورزی دانشگاه فردوسی مشهد، در قالب طرح کاملا تصادفی با سهتکرار اجرا شد. تیمارهای این مطالعه عبارتبودند از: شدتمیدان مغناطیس در دو سطح (100 و 150میلیتسلا) و زمان قرارگیری در معرض میدان مغناطیس در 5سطح ( 1 ،2 ،3، 4 و 5ساعت) و تیمار شاهد نیز بدون اعمال میدان مغناطیسی در آزمایش درنظرگرفته شد. نتایج نشانداد که میدانمغناطیسی بهطور معنیداری بر جوانهزنی نخود تاثیرگذار بود. بذوریکه در معرض میدان 100میلیتسلا بهمدت دوساعت قرار گرفتند، بیشترین میزان طول ریشهچه را داشتند، بهطوریکه طول ریشهچه نسبت به تیمار شاهد (33/6سانتیمتر) 33درصد افزایش یافت. در تیمار میدان مغناطیسی با شدت 150میلیتسلا و بهمدت 5ساعت، میزان طول ریشهچه نسبتبه تیمار شاهد، 30درصد افزایش نشان داد. طول ساقهچه بذور نخود در تیمار اعمال دوساعت میدان مغناطیسی 100میلیتسلا نسبت به تیمار شاهد (67/1سانتیمتر) و در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی150میلیتسلا بهمیزان9/46درصد افزایش یافت. بیشترین میزان وزن خشک ریشهچه در تیمار 2ساعت زمان میدان مغناطیسی150میلیتسلا بود که نسبت به تیمار شاهد 9/51درصد افزایش نشان داد. در تیمار اعمال 5ساعت میدان مغناطیسی شدت150میلیتسلا 46درصد وزن خشک ساقهچه نخود نسبت به تیمار شاهد بیشتر بود و همچون سایر صفات مورد اندازهگیری، تیمار ذکرشده بیشینه وزن خشک ساقهچه نخود را بهخود اختصاص داد؛ اما وزن خشک بقایای بذر در اثر میدان مغناطیسی کاهش یافت. از آنجا که میدان مغناطیسی سبب بهبود رشد گیاهچه میشود، در نتیجه تخلیه موادغذایی سازنده بذر، سریعتر و بهتر صورت میگیرد و لذا منجر به سریعشدن دوره رشد در زمان جوانهزنی بذر نخود در شرایط آزمایشگاهی خواهد شد.

شماره پشتیبانی برای ارسال اس ام اس : 09054791747